山東吸引430萬青年人才：天岳先進碳化硅襯底全球份額27.6%登頂

“十四五”期間，超430萬青年人才涌入山東，僅2025年就達100.5萬人，其中博士超1萬、博士后近3500人。與此同時，一家來自山東的企業(yè)——天岳先進，在2025年拿下了全球?qū)щ娦吞蓟枰r底27.6%的市場份額，位居世界第一。一邊是龐大的人才洪流，一邊是登頂全球的硬核技術(shù)，這兩個看似獨立的數(shù)字，在山東的產(chǎn)業(yè)版圖上發(fā)生了化學反應(yīng)。人們不禁要問：430萬青年人才的選擇，與一項“卡脖子”技術(shù)的全球領(lǐng)跑，背后是怎樣的發(fā)展邏輯？

 01 430萬“青春合伙人”，山東用什么留住他們？

山東吸引青年人才，靠的不是單一口號，而是一套覆蓋安居、創(chuàng)業(yè)、科研全鏈條的“政策組合拳”。

• 安居保障降低“第一站”門檻：山東實施“青年優(yōu)居計劃”，全省建成395處青年優(yōu)驛、133處優(yōu)徠社區(qū)，提供2.8萬套優(yōu)惠租賃住房，為求職青年提供免費住宿、租房補貼。

  在濟南，博士、碩士購房補貼最高分別達15萬元和10萬元，針對專精特新民營企業(yè)，這一標準甚至提升至25萬元和15萬元。

• 創(chuàng)業(yè)扶持貫穿全周期：全省推行“創(chuàng)業(yè)陪跑”機制，布局低成本創(chuàng)業(yè)街區(qū)、孵化基地和概念驗證中心。金融支持方面，“人才貸”、創(chuàng)業(yè)擔保貸款等政策直達快享，個人創(chuàng)業(yè)擔保貸款最高可達30萬元。

• 科研經(jīng)費向青年和產(chǎn)業(yè)傾斜：山東建立“揭榜掛帥”機制，聚焦19條標志性產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)布核心技術(shù)需求，榜單總投入達21.9億元，其中超50項明確以“進口替代”為目標。

  對于集成電路企業(yè)，山東的扶持更為直接：研發(fā)投入按10%比例給予補助，單個企業(yè)年度最高補助500萬元。

• 專項引才瞄準半導體等戰(zhàn)略領(lǐng)域：山東實施人工智能、集成電路等重點領(lǐng)域人才專項行動，面向全球靶向引才。

  在泰山人才工程中，通過設(shè)立專項、單列指標加大對戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的支持，并推進集成電路學院布局，實施本碩博貫通培養(yǎng)。

 02 從“卡脖子”到全球領(lǐng)跑，12英寸碳化硅襯底如何煉成？

在山東匯聚的人才與政策資源，最終在碳化硅（SiC）這一第三代半導體關(guān)鍵材料上，結(jié)出了突破性的果實。

技術(shù)路徑上形成“雙輪驅(qū)動”。突破主要來自兩家企業(yè)：天岳先進 在液相法高品質(zhì)p型碳化硅襯底制備上取得系統(tǒng)性突破，相關(guān)成果發(fā)表于權(quán)威期刊《Journal of Crystal Growth》，為其在萬伏級高壓功率芯片量產(chǎn)掃清障礙。露笑科技 則攻克了PVT法6/8/12英寸碳化硅晶體生長與襯底加工核心技術(shù)，實現(xiàn)高良率規(guī)模化生產(chǎn)，具備成本競爭力。

市場地位實現(xiàn)從追趕到領(lǐng)跑。根據(jù)日本富士經(jīng)濟2026年的報告，2025年天岳先進在全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場的份額達到27.6%，超越傳統(tǒng)巨頭Wolfspeed位列全球第一；其8英寸產(chǎn)品的市場份額更是高達**51.3%**。

2025年，天岳先進碳化硅襯底產(chǎn)量折合69.04萬片，銷售63.33萬片，同比激增75.33%。

產(chǎn)業(yè)鏈影響深遠，打破長期壟斷。12英寸大尺寸碳化硅襯底是制造高壓、大功率芯片的基石。山東的技術(shù)突破，不僅意味著中國在第三代半導體核心材料領(lǐng)域打破了國外長期壟斷，更帶動了國內(nèi)碳化硅外延、器件制造等上下游環(huán)節(jié)的技術(shù)升級和成本下降。

 03 濟南青島“雙核驅(qū)動”，山東半導體產(chǎn)業(yè)鏈拼圖完成多少？

技術(shù)單點突破的背后，是山東以濟南、青島為核心，圍繞19條標志性產(chǎn)業(yè)鏈中的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，進行的系統(tǒng)性布局。

• 產(chǎn)業(yè)集群初具形態(tài)：濟南高新區(qū)的集成電路產(chǎn)業(yè)集群已入選2025年山東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群，形成覆蓋設(shè)計、制造、封測的鏈條，匯聚了比亞迪半導體、晶正電子、天岳先進等企業(yè)。青島則聚焦特色領(lǐng)域，培育了青島海存微電子（建成全球首條8英寸磁性隨機存儲芯片產(chǎn)線）等企業(yè)。

• 上游材料與設(shè)備配套逐步完善：山東依托強大的化工產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，在半導體材料領(lǐng)域形成獨特優(yōu)勢。例如，濱化股份的電子級氫氟酸品質(zhì)達到最高的G5等級，打破國外壟斷；東岳集團是氟系光刻膠單體核心供應(yīng)商。

  在設(shè)備環(huán)節(jié)，濟南的艾恩半導體成功下線首款自主研發(fā)的離子注入機，填補了省內(nèi)空白。

• 與長三角對比：優(yōu)勢與差距并存。山東半導體產(chǎn)業(yè)的比較優(yōu)勢在于特色領(lǐng)域突出（如碳化硅襯底）、綜合成本較低（用工、用地成本較長三角低20%-30%）以及新材料產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚。

  但差距同樣明顯：在高端芯片設(shè)計、先進工藝研發(fā)等環(huán)節(jié)的人才儲備和產(chǎn)業(yè)規(guī)模上，仍與長三角、珠三角存在差距。

可以預見，以碳化硅為代表的第三代半導體競賽才剛剛開始。山東憑借在材料端的領(lǐng)先優(yōu)勢和持續(xù)的人才集聚，已在全球產(chǎn)業(yè)版圖中占據(jù)一席之地。

然而，從材料到器件，再到大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域，仍需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游更緊密的協(xié)同和技術(shù)迭代。天岳先進全球登頂和露笑科技的技術(shù)突破，標志著中國半導體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“突破封鎖”到“參與定義”的轉(zhuǎn)變。

未來，山東能否將材料優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，并培育出更多具有國際競爭力的半導體企業(yè)，將取決于其人才政策與產(chǎn)業(yè)生態(tài)能否持續(xù)深化融合。

正如一位行業(yè)觀察者所言，“真正的引領(lǐng)，不僅在于一時市場份額的超越，更在于能否持續(xù)定義下一代技術(shù)的標準與路徑。”