重磅！國內(nèi)兩大晶圓廠，大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)

近日，據(jù)日經(jīng)亞洲報道，國內(nèi)兩大頭部存儲芯片制造商長鑫存儲與長江存儲正推進(jìn)史上最大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計劃，通過新建工廠、布局高端產(chǎn)品線等方式，縮小與三星、SK海力士等國際龍頭企業(yè)的技術(shù)與產(chǎn)能差距，以匹配國內(nèi)旺盛的市場需求。

作為國內(nèi)最大的DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）廠商，長鑫存儲的擴(kuò)產(chǎn)動作備受關(guān)注。報道顯示，該公司正在上海新建一座DRAM生產(chǎn)工廠，投產(chǎn)后新增產(chǎn)能將達(dá)到其合肥總部基地的兩至三倍。新工廠計劃于2026年下半年啟動設(shè)備安裝，2027年正式投產(chǎn)，產(chǎn)品將覆蓋服務(wù)器、PC、汽車電子等多個應(yīng)用領(lǐng)域。與此同時，長鑫存儲同步在上海擴(kuò)建HBM（高帶寬存儲器）生產(chǎn)線，瞄準(zhǔn)AI算力快速增長帶來的高端存儲需求。

據(jù)知情人士透露，當(dāng)前長鑫存儲位于合肥、北京的兩座工廠已處于滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。“本土企業(yè)的存儲芯片需求極為旺盛，尤其是服務(wù)器、汽車電子等領(lǐng)域的訂單持續(xù)增長，公司需要盡快擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足市場缺口。”該人士表示，上海新廠的建設(shè)正是為了緩解產(chǎn)能壓力，同時通過規(guī)模化生產(chǎn)進(jìn)一步降低成本，提升產(chǎn)品市場競爭力。

國內(nèi)頭部NAND（閃存）廠商長江存儲也在同步推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)布局。其位于武漢的第三座工廠正在建設(shè)中，計劃2027年實現(xiàn)投產(chǎn)。不同于此前以NAND生產(chǎn)為主的定位，長江存儲此次明確了新廠的多元化產(chǎn)能規(guī)劃：除NAND閃存外，將有50%的產(chǎn)能用于DRAM芯片制造，這意味著長江存儲將進(jìn)一步完善產(chǎn)品線，從NAND領(lǐng)域拓展至DRAM賽道，實現(xiàn)存儲芯片品類的全覆蓋。

為匹配AI計算場景的高端需求，長江存儲還計劃與本土存儲封裝企業(yè)展開合作，共同研發(fā)生產(chǎn)HBM產(chǎn)品。當(dāng)前，AI大模型訓(xùn)練、高性能計算等領(lǐng)域?qū)Ω邘挕⒌脱舆t存儲芯片的需求激增，HBM已成為高端算力系統(tǒng)的核心配套部件之一。通過聯(lián)合本土企業(yè)研發(fā)，長江存儲有望在高端存儲領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，減少對國際廠商的依賴。

業(yè)內(nèi)人士分析，長鑫存儲與長江存儲的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，既是應(yīng)對國內(nèi)市場需求增長的必要舉措，也是國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)加速追趕國際水平的重要信號。隨著兩大企業(yè)產(chǎn)能釋放與高端產(chǎn)品落地，國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控能力將進(jìn)一步提升，為國內(nèi)AI、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更強(qiáng)的存儲芯片支撐